除了5nm外，台积电还在华为生产更多7nm芯片，以保证更多的手机使用，因为目前华为旗下手机销售主力主要还是集中在搭载7nm工艺处理器的机型上。

8月23日消息，据产业链最新消息称，华为将在下个月发布新的旗舰版麒麟处理器，其基于台积电5nm工艺，而它也将会是全球最先推出5nm移动芯片的厂商，这要比苹果至少快近一个月时间，后者的A14处理器同样基于台积电的5nm工艺。

本周，台积电方面正式宣布，已经生产了第10亿颗功能完好、没有缺陷的7nm芯片(苹果A12、华为麒麟980等都使用了这个工艺)，达成新里程碑，而EUV(极紫外光刻)技术引入7nm的商业生产，并为5nm打下坚实基础，后者即将正式跟大家见面。

据最新消息显示，台积电为华为麒麟生产的5nm麒麟芯片，依然集成了同样工艺的5G基带，所以搭载的手机在续航上表现会更上一层楼，而老对手A14并没有集成5G基带，因为苹果在这方面上没有任何建树，而是通过高通的骁龙X55方案。

台积电正在进行最后的赶工生产

按照之前的规定，9月15日之后台积电将不能为华为生产芯片，而随着时间的不断临近，台积电也是进行了最后的赶工，其正在集中一切力量来生产基于5nm的麒麟芯，以尽可能保证Mate 40系列的使用。

上游芯片产业链消息人士直言，华为到年底之前所需要的麒麟处理器芯片数量，不论5nm，7nm 手机芯片或是16nm，28nm例如海思自研的TWS 耳机蓝牙芯片，都会在9月中前全部交付，目前的产能推进一切顺利，所以不会耽误既定机型的发布和上市。

除了5nm外，台积电还在华为生产更多7nm芯片，以保证更多的手机使用，因为目前华为旗下手机销售主力主要还是集中在搭载7nm工艺处理器的机型上，不过即便是最后的赶工，也并没有其他厂商愿意临时将产能贡献给华为使用，因为大家基本都到了集中发新的阶段，同时台积电的7nm、5nm工艺产能十分有限。

麒麟芯或将成绝唱

由于美国的疯狂打压，余承东在之前的公开演讲中表示，今年秋天上市的Mate 40，将搭载的麒麟9000可能是华为高端芯片的绝版。余承东在演讲中披露，华为Mate 40搭载了我们新一代的麒麟9000芯片，将会拥有更强大的5G能力，更强大的AI处理能力，更强大的CPU和GPU。

“但很遗憾的是，在美国的第二轮制裁，我们芯片生产，只接受了9月15号之前的订单，到9月15号生产就截止了。所以今年可能是我们华为麒麟高端芯片的绝版，最后一代。”余承东无奈的说道。

对于外界的打击，华为方面现在公开表示，将跟中国企业一起在芯片、操作系统等核心上突围。华为承认中国终端产业的核心技术与美国差距很大，但他们希望中国企业能够从根技术做起，打造新生态，大家一起团结，在核心技术上进行突围。

按照之前的制裁细节，只要半导体生产工艺上，哪怕使用了任何一点美国技术，都不能给华为来生产。对此，华为也表现的很无奈，他们也很遗憾，第一是在芯片领域探索，过去华为开拓了十几年，从严重落后到比较落后，到有点落后，到终于赶上来，到领先，到现在又被封杀。

另外一点是，投资了非常巨大的研发投入，也经历了非常艰难的过程，但很遗憾的是华为在半导体制造方面，华为在重资产投入型的领域，这种资金密集型的产业，华为没有参与，他们只做到了芯片的设计，但没搞芯片的制造，这是华为非常大的一个损失。

联发科准备的3千万套5G芯片或无法出货

产业链在最新消息中还提到，由于美国升级了禁令要求，这导致联发科为华为手机准备的5G芯片没办法出货，只能靠小米、OPPO和vivo来消化。

按照禁令要求，使用美国技术或软件作为基础的外国产品，且该外国产品用于生产或开发任何零件、组件、设备都是被禁止的。处于实体清单中的华为相关子公司，禁止扮演采购者、中间收货人、最终收货人的角色。

产业链人士表示，如此严格的规定，直接导致联发科给华为供货5G芯片的计划被打乱，即联发科本来第四季度帮华为备货了3000万套的5G手机芯片，由于禁令，现在只能向OV小米立项求助。

华为日本公司方面则公开表示，目前禁令限制的主要是半导体芯片，其他零部件不受影响。

跟中国厂商一起努力，全方位扎根半导体

当然了，华为也不是只是喊喊口号，因为只有自己强大才能真的无惧制裁。在半导体方面，华为最新的态度是，将全方位扎根，突破物理学材料学的基础研究和精密制造。在终端器件方面，比如显示模组、摄像头模组、5G器件等方面，华为正大力加大材料与核心技术的投入，实现新材料+新工艺紧密联动，突破制约创新的瓶颈。

由于半导体产业链非常的长，不是一两家家企业能够做全的，不过华为也表示，在终端的多个器件上，华为都在投入，其也带动了一批中国企业公司的成长，包括射频等等向高端制造业进行跨越。

具体来说，华为建议产业关注EDA以及IP领域，关键算法和设计能力。还有包括12寸晶圆、光掩膜、EUV光源、沉浸式系统、透镜等在内的生产设备和材料领域。而在设计与制造环节，关注IC设计能力以及IC制造和IC封测能力。其中IDM涵盖了射频、功率、模拟、存储、传感器等器件设计与制造工艺整合。